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Transistor canal N, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IKW75N60T

Transistor canal N, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IKW75N60T
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Quantité HT TTC
1 - 1 11.36fr 12.28fr
2 - 2 10.79fr 11.66fr
3 - 4 10.56fr 11.42fr
5 - 9 10.22fr 11.05fr
10 - 14 10.00fr 10.81fr
15 - 19 9.66fr 10.44fr
20 - 59 9.31fr 10.06fr
Quantité U.P
1 - 1 11.36fr 12.28fr
2 - 2 10.79fr 11.66fr
3 - 4 10.56fr 11.42fr
5 - 9 10.22fr 11.05fr
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Lot de 1

Transistor canal N, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IKW75N60T. Transistor canal N, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 4620pF. C (out): 288pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 182 ns. Fonction: VCEsat très faible. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 225A. Marquage sur le boîtier: K75T60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 428W. RoHS: oui. Spec info: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 330 ns. Td(on): 33 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.9V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/07/2025, 13:25.

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