Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 11.36fr | 12.28fr |
2 - 2 | 10.79fr | 11.66fr |
3 - 4 | 10.56fr | 11.42fr |
5 - 9 | 10.22fr | 11.05fr |
10 - 14 | 10.00fr | 10.81fr |
15 - 19 | 9.66fr | 10.44fr |
20 - 59 | 9.31fr | 10.06fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 11.36fr | 12.28fr |
2 - 2 | 10.79fr | 11.66fr |
3 - 4 | 10.56fr | 11.42fr |
5 - 9 | 10.22fr | 11.05fr |
10 - 14 | 10.00fr | 10.81fr |
15 - 19 | 9.66fr | 10.44fr |
20 - 59 | 9.31fr | 10.06fr |
Transistor canal N, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IKW75N60T. Transistor canal N, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 4620pF. C (out): 288pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 182 ns. Fonction: VCEsat très faible. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 225A. Marquage sur le boîtier: K75T60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 428W. RoHS: oui. Spec info: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 330 ns. Td(on): 33 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.9V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/07/2025, 13:25.
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.