Transistor canal N, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7 - IPB014N06NATMA1
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.57fr | 4.94fr |
| 5 - 9 | 4.35fr | 4.70fr |
| 10 - 24 | 4.21fr | 4.55fr |
| 25 - 44 | 4.02fr | 4.35fr |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.57fr | 4.94fr |
| 5 - 9 | 4.35fr | 4.70fr |
| 10 - 24 | 4.21fr | 4.55fr |
| 25 - 44 | 4.02fr | 4.35fr |
Transistor canal N, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7 - IPB014N06NATMA1. Transistor canal N, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7. Résistance passante Rds On: 2.1M Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO263-7. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Dissipation de puissance maxi: 214W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: OptiMOS Power. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/07/2025, 14:25.
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