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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 6m Ohms, PG-SOT223 - IPN70R600P7SATMA1

Transistor canal N, 6m Ohms, PG-SOT223 - IPN70R600P7SATMA1
Quantité HT TTC
1 - 4 1.72fr 1.86fr
5 - 9 1.63fr 1.76fr
10 - 24 1.58fr 1.71fr
25 - 26 1.55fr 1.68fr
Quantité U.P
1 - 4 1.72fr 1.86fr
5 - 9 1.63fr 1.76fr
10 - 24 1.58fr 1.71fr
25 - 26 1.55fr 1.68fr
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Quantité en stock : 26
Lot de 1

Transistor canal N, 6m Ohms, PG-SOT223 - IPN70R600P7SATMA1. Transistor canal N, 6m Ohms, PG-SOT223. Résistance passante Rds On: 6m Ohms. Boîtier (selon fiche technique): PG-SOT223. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Dissipation de puissance maxi: 6.9W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/07/2025, 16:25.

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