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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor canal N, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF1010N

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Transistor canal N, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF1010N. Transistor canal N, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 85A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.11 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3210pF. C (out): 690pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 69 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 290A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 180W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Utilisation: -55...+175°C. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 05:25.

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