Transistor canal N, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V - IRF1404

Quantité	HT	TTC
1 - 4	2.21fr	2.39fr
5 - 9	2.10fr	2.27fr
10 - 24	1.99fr	2.15fr
25 - 49	1.88fr	2.03fr
50 - 99	1.83fr	1.98fr
100 - 109	1.68fr	1.82fr

Quantité	U.P
1 - 4	2.21fr	2.39fr
5 - 9	2.10fr	2.27fr
10 - 24	1.99fr	2.15fr
25 - 49	1.88fr	2.03fr
50 - 99	1.83fr	1.98fr
100 - 109	1.68fr	1.82fr

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!

Quantité en stock : 109

Lot de 1

Transistor canal N, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V - IRF1404. Transistor canal N, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Id (T=100°C): 115A. Id (T=25°C): 162A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.5m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. C (in): 7360pF. C (out): 1680pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 71 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 650A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 05:25.

Documentation technique