Transistor canal N, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V - IRF1404Z

Quantité	HT	TTC
1 - 4	3.05fr	3.30fr
5 - 9	2.90fr	3.13fr
10 - 24	2.75fr	2.97fr
25 - 49	2.59fr	2.80fr
50 - 99	2.53fr	2.73fr
100 - 173	2.34fr	2.53fr

Quantité	U.P
1 - 4	3.05fr	3.30fr
5 - 9	2.90fr	3.13fr
10 - 24	2.75fr	2.97fr
25 - 49	2.59fr	2.80fr
50 - 99	2.53fr	2.73fr
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Transistor canal N, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V - IRF1404Z. Transistor canal N, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Id (T=100°C): 130A. Id (T=25°C): 190A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 2.7M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. C (in): 4340pF. C (out): 1030pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 750A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 220W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 36ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 05:25.

Documentation technique