Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.43fr | 2.63fr |
5 - 9 | 2.30fr | 2.49fr |
10 - 24 | 2.18fr | 2.36fr |
25 - 49 | 2.06fr | 2.23fr |
50 - 99 | 2.01fr | 2.17fr |
100 - 119 | 1.82fr | 1.97fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.43fr | 2.63fr |
5 - 9 | 2.30fr | 2.49fr |
10 - 24 | 2.18fr | 2.36fr |
25 - 49 | 2.06fr | 2.23fr |
50 - 99 | 2.01fr | 2.17fr |
100 - 119 | 1.82fr | 1.97fr |
Transistor canal N, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF1405. Transistor canal N, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 118A. Id (T=25°C): 169A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0046 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 5480pF. C (out): 1210pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 88 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 680A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Rds-on 0.0046 Ohms max. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 05:25.
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