Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.68fr | 2.90fr |
5 - 9 | 2.54fr | 2.75fr |
10 - 24 | 2.46fr | 2.66fr |
25 - 49 | 2.41fr | 2.61fr |
50 - 57 | 2.36fr | 2.55fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.68fr | 2.90fr |
5 - 9 | 2.54fr | 2.75fr |
10 - 24 | 2.46fr | 2.66fr |
25 - 49 | 2.41fr | 2.61fr |
50 - 57 | 2.36fr | 2.55fr |
Transistor canal N, 43A, 75A, 250uA, 3.9M Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF2805. Transistor canal N, 43A, 75A, 250uA, 3.9M Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.9M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 5110pF. C (out): 1190pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, applications automobiles. Protection G-S: non. Id(imp): 700A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 68 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/07/2025, 16:25.
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