Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.62fr | 1.75fr |
5 - 9 | 1.69fr | 1.83fr |
10 - 24 | 1.44fr | 1.56fr |
25 - 49 | 1.41fr | 1.52fr |
50 - 99 | 1.19fr | 1.29fr |
100 - 249 | 1.15fr | 1.24fr |
250 - 2266 | 1.06fr | 1.15fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.62fr | 1.75fr |
5 - 9 | 1.69fr | 1.83fr |
10 - 24 | 1.44fr | 1.56fr |
25 - 49 | 1.41fr | 1.52fr |
50 - 99 | 1.19fr | 1.29fr |
100 - 249 | 1.15fr | 1.24fr |
250 - 2266 | 1.06fr | 1.15fr |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 55V, 98A, 10V - IRF3205PBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 55V, 98A, 10V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. Boîtier (norme JEDEC): 10V. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF3205PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3247pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Produit d'origine constructeur Infineon. Quantité en stock actualisée le 06/07/2025, 19:25.
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