Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.92fr | 3.16fr |
5 - 9 | 2.77fr | 2.99fr |
10 - 24 | 2.63fr | 2.84fr |
25 - 49 | 2.48fr | 2.68fr |
50 - 99 | 2.42fr | 2.62fr |
100 - 249 | 2.36fr | 2.55fr |
250+ | 2.28fr | 2.46fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.92fr | 3.16fr |
5 - 9 | 2.77fr | 2.99fr |
10 - 24 | 2.63fr | 2.84fr |
25 - 49 | 2.48fr | 2.68fr |
50 - 99 | 2.42fr | 2.62fr |
100 - 249 | 2.36fr | 2.55fr |
250+ | 2.28fr | 2.46fr |
Transistor canal N, 69A, 110A, 110A, 0.047 Ohms, TO-220, TO-220AB, 20V - IRF3711. Transistor canal N, 69A, 110A, 110A, 0.047 Ohms, TO-220, TO-220AB, 20V. Id (T=100°C): 69A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 110A. Résistance passante Rds On: 0.047 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 20V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Dissipation de puissance maxi: 120W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Fonction: td(on) 12ns, td(off) 17ns. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 05:25.
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