Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 21.62fr | 23.37fr |
2 - 2 | 20.54fr | 22.20fr |
3 - 4 | 19.46fr | 21.04fr |
5 - 9 | 18.37fr | 19.86fr |
10 - 14 | 17.94fr | 19.39fr |
15 - 19 | 17.51fr | 18.93fr |
20+ | 16.86fr | 18.23fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 21.62fr | 23.37fr |
2 - 2 | 20.54fr | 22.20fr |
3 - 4 | 19.46fr | 21.04fr |
5 - 9 | 18.37fr | 19.86fr |
10 - 14 | 17.94fr | 19.39fr |
15 - 19 | 17.51fr | 18.93fr |
20+ | 16.86fr | 18.23fr |
Transistor canal N, 7.75A, 12A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204A ), 500V - IRF450. Transistor canal N, 7.75A, 12A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204A ), 500V. Id (T=100°C): 7.75A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204A ). Tension Vds(max): 500V. C (in): 2700pF. C (out): 600pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1600 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Repetitive Avalanche Ratings. Id(imp): 48A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 170 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: transistor HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 05:25.
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