Transistor canal N, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF510

Transistor canal N, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF510. Transistor canal N, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 5.6A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 180pF. C (out): 81pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 43W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 15 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 05:25.