Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.26fr | 1.36fr |
5 - 9 | 1.20fr | 1.30fr |
10 - 24 | 1.16fr | 1.25fr |
25 - 49 | 1.14fr | 1.23fr |
50 - 99 | 1.11fr | 1.20fr |
100 - 249 | 1.01fr | 1.09fr |
250 - 547 | 0.98fr | 1.06fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.26fr | 1.36fr |
5 - 9 | 1.20fr | 1.30fr |
10 - 24 | 1.16fr | 1.25fr |
25 - 49 | 1.14fr | 1.23fr |
50 - 99 | 1.11fr | 1.20fr |
100 - 249 | 1.01fr | 1.09fr |
250 - 547 | 0.98fr | 1.06fr |
Transistor canal N, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF540N. Transistor canal N, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 23A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.044 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1960pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 115 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 130W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur International Rectifier, Infineon (irf). Quantité en stock actualisée le 06/07/2025, 21:25.
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