Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 3.3A, 36W - IRF610PBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.56fr	0.61fr
5 - 9	0.53fr	0.57fr
10 - 24	0.50fr	0.54fr
25 - 49	0.47fr	0.51fr
50 - 99	0.46fr	0.50fr
100 - 249	0.77fr	0.83fr
250 - 372	0.65fr	0.70fr

Quantité	U.P
1 - 4	0.56fr	0.61fr
5 - 9	0.53fr	0.57fr
10 - 24	0.50fr	0.54fr
25 - 49	0.47fr	0.51fr
50 - 99	0.46fr	0.50fr
100 - 249	0.77fr	0.83fr
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Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 3.3A, 36W - IRF610PBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 3.3A, 36W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. Boîtier (norme JEDEC): 36W. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF610PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 11 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 140pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 08:25.

Documentation technique