Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 9A - IRF630NPBF
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.78fr | 1.92fr |
| 5 - 9 | 1.69fr | 1.83fr |
| 10 - 24 | 1.64fr | 1.77fr |
| 25 - 49 | 1.29fr | 1.39fr |
| 50 - 99 | 1.26fr | 1.36fr |
| 100 - 249 | 1.22fr | 1.32fr |
| 250 - 850 | 1.18fr | 1.28fr |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.78fr | 1.92fr |
| 5 - 9 | 1.69fr | 1.83fr |
| 10 - 24 | 1.64fr | 1.77fr |
| 25 - 49 | 1.29fr | 1.39fr |
| 50 - 99 | 1.26fr | 1.36fr |
| 100 - 249 | 1.22fr | 1.32fr |
| 250 - 850 | 1.18fr | 1.28fr |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 9A - IRF630NPBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 9A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF630N. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.9 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 27 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 575pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 74W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Produit d'origine constructeur International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/07/2025, 20:25.
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