Transistor canal N, 200V, TO220 - IRF630PBF

Transistor canal N, 200V, TO220 - IRF630PBF. Transistor canal N, 200V, TO220. Vdss (tension drain à source): 200V. Boîtier: TO220. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Série: oui. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 9A. Tension d'entraînement: 10V. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: montage traversant pour circuit imprimé. Vgs(th) (Max) @ Id: 3. Qg (charge totale de la porte, Max @ Vgs): IRF630PBF. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Dissipation de puissance maxi: 75W. Température de fonctionnement: 0.4 Ohms @ 5.4A. Type de montage: THT. Particularités: 39 ns. Information: 800pF. MSL: 74W. Produit d'origine constructeur Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 06/07/2025, 20:25.