Transistor canal N, 200V, TO220 - IRF640NPBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.28fr	1.38fr
5 - 9	1.21fr	1.31fr
10 - 24	1.13fr	1.22fr
25 - 49	1.11fr	1.20fr
50 - 99	0.97fr	1.05fr
100 - 249	0.93fr	1.01fr
250 - 327	0.82fr	0.89fr

Quantité	U.P
1 - 4	1.28fr	1.38fr
5 - 9	1.21fr	1.31fr
10 - 24	1.13fr	1.22fr
25 - 49	1.11fr	1.20fr
50 - 99	0.97fr	1.05fr
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Transistor canal N, 200V, TO220 - IRF640NPBF. Transistor canal N, 200V, TO220. Vdss (tension drain à source): 200V. Boîtier: TO220. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 18A. Tension d'entraînement: 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Dissipation de puissance maxi: 150W. Type de montage: THT. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.

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