Transistor canal N, 200V, TO220 - IRF640NPBF

Transistor canal N, 200V, TO220 - IRF640NPBF. Transistor canal N, 200V, TO220. Vdss (tension drain à source): 200V. Boîtier: TO220. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Série: oui. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 18A. Tension d'entraînement: 10V. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: montage traversant pour circuit imprimé. Vgs(th) (Max) @ Id: 3. Qg (charge totale de la porte, Max @ Vgs): IRF640NPBF. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Dissipation de puissance maxi: 150W. Température de fonctionnement: 0.15 Ohms @ 11A. Type de montage: THT. Particularités: 23 ns. Information: 1160pF. MSL: 150W. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/07/2025, 23:25.