Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 18A, 150W - IRF640NPBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.84fr	0.91fr
5 - 9	0.80fr	0.86fr
10 - 24	0.76fr	0.82fr
25 - 49	0.71fr	0.77fr
50 - 99	0.70fr	0.76fr
100 - 249	0.68fr	0.74fr
250 - 1955	0.65fr	0.70fr

Quantité	U.P
1 - 4	0.84fr	0.91fr
5 - 9	0.80fr	0.86fr
10 - 24	0.76fr	0.82fr
25 - 49	0.71fr	0.77fr
50 - 99	0.70fr	0.76fr
100 - 249	0.68fr	0.74fr
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Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 18A, 150W - IRF640NPBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 18A, 150W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Boîtier (norme JEDEC): 150W. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF640NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1160pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 08:25.

Documentation technique