Transistor canal N, 200V, TO220 - IRF640PBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.07fr	1.16fr
5 - 9	1.01fr	1.09fr
10 - 24	0.98fr	1.06fr
25 - 49	0.96fr	1.04fr
50 - 99	0.94fr	1.02fr
100 - 249	0.91fr	0.98fr
250 - 280	0.87fr	0.94fr

Quantité	U.P
1 - 4	1.07fr	1.16fr
5 - 9	1.01fr	1.09fr
10 - 24	0.98fr	1.06fr
25 - 49	0.96fr	1.04fr
50 - 99	0.94fr	1.02fr
100 - 249	0.91fr	0.98fr
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Transistor canal N, 200V, TO220 - IRF640PBF. Transistor canal N, 200V, TO220. Vdss (tension drain à source): 200V. Boîtier: TO220. Série: transistor de puissance MOSFET. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 18A. Tension d'entraînement: 10V. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.18 Ohms. Vgs(th) (Max) @ Id: TO-220. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de montage: THT. Produit d'origine constructeur Vishay. Quantité en stock actualisée le 07/07/2025, 00:25.

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