Transistor canal N, TO-220AB, 400V, 2A, 3.6 Ohms, 400V - IRF710PBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.78fr	0.84fr
5 - 9	0.74fr	0.80fr
10 - 24	0.70fr	0.76fr
25 - 49	0.66fr	0.71fr
50 - 99	0.66fr	0.71fr
100 - 249	0.65fr	0.70fr
250 - 353	0.62fr	0.67fr

Quantité	U.P
1 - 4	0.78fr	0.84fr
5 - 9	0.74fr	0.80fr
10 - 24	0.70fr	0.76fr
25 - 49	0.66fr	0.71fr
50 - 99	0.66fr	0.71fr
100 - 249	0.65fr	0.70fr
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Transistor canal N, TO-220AB, 400V, 2A, 3.6 Ohms, 400V - IRF710PBF. Transistor canal N, TO-220AB, 400V, 2A, 3.6 Ohms, 400V. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. Résistance passante Rds On: 3.6 Ohms. Tension drain - source (Vds): 400V. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF710PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.6 Ohms @ 1.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 170pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 2A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 08:25.

Documentation technique