Transistor canal N, 9.2A, 13A, 150uA, 0.008 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF7413Z

Transistor canal N, 9.2A, 13A, 150uA, 0.008 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF7413Z. Transistor canal N, 9.2A, 13A, 150uA, 0.008 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 9.2A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1210pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 95. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 24 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Impédance de grille ultra-basse. Protection G-S: non. Id(imp): 100A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 11 ns. Td(on): 8.7 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Produit d'origine constructeur International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/07/2025, 02:25.