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Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 500V, 4A - IRF820PBF

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 500V, 4A - IRF820PBF
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Quantité HT TTC
1 - 4 1.49fr 1.61fr
5 - 9 1.42fr 1.54fr
10 - 24 1.34fr 1.45fr
25 - 49 1.27fr 1.37fr
50 - 99 0.88fr 0.95fr
100 - 249 0.86fr 0.93fr
250 - 433 0.82fr 0.89fr
Quantité U.P
1 - 4 1.49fr 1.61fr
5 - 9 1.42fr 1.54fr
10 - 24 1.34fr 1.45fr
25 - 49 1.27fr 1.37fr
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Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 500V, 4A - IRF820PBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 500V, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF820PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 33 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Capacité de grille Ciss [pF]: 360pF. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 11:25.

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