Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 500V, 8A - IRF840APBF
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.19fr | 3.45fr |
| 5 - 9 | 3.03fr | 3.28fr |
| 10 - 24 | 2.00fr | 2.16fr |
| 25 - 49 | 1.89fr | 2.04fr |
| 50 - 99 | 1.84fr | 1.99fr |
| 100 - 175 | 1.80fr | 1.95fr |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.19fr | 3.45fr |
| 5 - 9 | 3.03fr | 3.28fr |
| 10 - 24 | 2.00fr | 2.16fr |
| 25 - 49 | 1.89fr | 2.04fr |
| 50 - 99 | 1.84fr | 1.99fr |
| 100 - 175 | 1.80fr | 1.95fr |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 500V, 8A - IRF840APBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 500V, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF840APBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 26 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1018pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 11:25.
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