Transistor canal N, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V, TO220AB - IRFB4110PBF

Transistor canal N, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V, TO220AB - IRFB4110PBF. Transistor canal N, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V, TO220AB. Résistance passante Rds On: 3.7m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. Vdss (tension drain à source): 100V. Boîtier: TO220AB. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 370W. RoHS: oui. Poids: 1.99g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 78 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Série: HEXFET. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 180A. Tension d'entraînement: 10V. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5m Ohms / 75A / 10V. Vgs(th) (Max) @ Id: 1. Qg (charge totale de la porte, Max @ Vgs): 50 ns. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Température de fonctionnement: non. Type de montage: THT. Particularités: 60.4k Ohms. Information: 250uA. MSL: 20uA. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 07/07/2025, 09:25.