Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 1 kV, 3.1A - IRFBG30PBF

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 1 kV, 3.1A - IRFBG30PBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 1 kV, 3.1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFBG30PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 1.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 89 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 980pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 15:25.