Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 3.49fr | 3.77fr |
5 - 9 | 3.31fr | 3.58fr |
10 - 24 | 3.14fr | 3.39fr |
25 - 49 | 2.96fr | 3.20fr |
50 - 99 | 2.89fr | 3.12fr |
100 - 143 | 2.68fr | 2.90fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.49fr | 3.77fr |
5 - 9 | 3.31fr | 3.58fr |
10 - 24 | 3.14fr | 3.39fr |
25 - 49 | 2.96fr | 3.20fr |
50 - 99 | 2.89fr | 3.12fr |
100 - 143 | 2.68fr | 2.90fr |
Transistor canal N, 21A, 30A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V - IRFP250N. Transistor canal N, 21A, 30A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 200V. C (in): 2159pF. C (out): 315pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 186 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 214W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 11:25.
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