Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 6.40fr | 6.92fr |
2 - 2 | 6.08fr | 6.57fr |
3 - 4 | 5.76fr | 6.23fr |
5 - 9 | 5.44fr | 5.88fr |
10 - 19 | 5.31fr | 5.74fr |
20 - 29 | 5.18fr | 5.60fr |
30 - 65 | 4.99fr | 5.39fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 6.40fr | 6.92fr |
2 - 2 | 6.08fr | 6.57fr |
3 - 4 | 5.76fr | 6.23fr |
5 - 9 | 5.44fr | 5.88fr |
10 - 19 | 5.31fr | 5.74fr |
20 - 29 | 5.18fr | 5.60fr |
30 - 65 | 4.99fr | 5.39fr |
Transistor canal N, 148A, 209A, 250uA, 3.6m Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V - IRFP2907. Transistor canal N, 148A, 209A, 250uA, 3.6m Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V. Id (T=100°C): 148A. Id (T=25°C): 209A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.6m Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 75V. C (in): 13000pF. C (out): 2100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 870A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 470W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 08:25.
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