Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.99fr | 3.23fr |
5 - 9 | 2.84fr | 3.07fr |
10 - 24 | 2.69fr | 2.91fr |
25 - 49 | 2.54fr | 2.75fr |
50 - 99 | 2.48fr | 2.68fr |
100 - 118 | 2.24fr | 2.42fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.99fr | 3.23fr |
5 - 9 | 2.84fr | 3.07fr |
10 - 24 | 2.69fr | 2.91fr |
25 - 49 | 2.54fr | 2.75fr |
50 - 99 | 2.48fr | 2.68fr |
100 - 118 | 2.24fr | 2.42fr |
Transistor canal N, 8.7A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V - IRFP450. Transistor canal N, 8.7A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Id (T=100°C): 8.7A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2600pF. C (out): 420pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 540 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 56A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 92us. Td(on): 17us. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 08:25.
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