Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 10.11fr | 10.93fr |
2 - 2 | 9.61fr | 10.39fr |
3 - 4 | 9.10fr | 9.84fr |
5 - 9 | 8.59fr | 9.29fr |
10 - 14 | 8.39fr | 9.07fr |
15 - 19 | 8.19fr | 8.85fr |
20 - 35 | 7.89fr | 8.53fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 10.11fr | 10.93fr |
2 - 2 | 9.61fr | 10.39fr |
3 - 4 | 9.10fr | 9.84fr |
5 - 9 | 8.59fr | 9.29fr |
10 - 14 | 8.39fr | 9.07fr |
15 - 19 | 8.19fr | 8.85fr |
20 - 35 | 7.89fr | 8.53fr |
Transistor canal N, 121A, 694A, 250uA, 0.0048 Ohms, TO-247, TO-247AC, 150V - IRFP4568PBF. Transistor canal N, 121A, 694A, 250uA, 0.0048 Ohms, TO-247, TO-247AC, 150V. Id (T=100°C): 121A. Id (T=25°C): 694A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0048 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 150V. C (in): 10470pF. C (out): 977pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 171A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 517W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 47 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 08:25.
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