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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V - IRFP460APBF

Transistor canal N, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V - IRFP460APBF
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Quantité HT TTC
1 - 1 4.45fr 4.81fr
2 - 2 4.23fr 4.57fr
3 - 4 4.01fr 4.33fr
5 - 9 3.78fr 4.09fr
10 - 19 3.69fr 3.99fr
20 - 29 3.60fr 3.89fr
30 - 139 3.47fr 3.75fr
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Transistor canal N, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V - IRFP460APBF. Transistor canal N, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V. Boîtier: TO-247. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. RoHS: oui. C (in): 3100pF. C (out): 480pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 480 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 80A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 280W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 08:25.

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Produits équivalents :

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2SK1170

2SK1170

Transistor canal N, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. Id (T=25°C): 20A. ...
2SK1170
Transistor canal N, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2800pF. C (out): 780pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 80A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Protection G-S: oui
2SK1170
Transistor canal N, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2800pF. C (out): 780pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 80A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Protection G-S: oui
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