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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 500V, 20A - IRFP460APBF

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 500V, 20A - IRFP460APBF
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1 - 1 5.65fr 6.11fr
2 - 2 5.37fr 5.80fr
3 - 4 5.20fr 5.62fr
5 - 9 5.09fr 5.50fr
10 - 19 4.97fr 5.37fr
20 - 29 4.80fr 5.19fr
30 - 71 3.86fr 4.17fr
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Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 500V, 20A - IRFP460APBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 500V, 20A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP460APBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3100pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 280W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.

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2SK1170

2SK1170

Transistor canal N, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. Id (T=25°C): 20A. ...
2SK1170
Transistor canal N, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2800pF. C (out): 780pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Protection G-S: oui. Id(imp): 80A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 120W. Spec info: High speed switching Low drive current. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v
2SK1170
Transistor canal N, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2800pF. C (out): 780pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Protection G-S: oui. Id(imp): 80A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 120W. Spec info: High speed switching Low drive current. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v
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10.95fr TTC
(10.13fr HT)
10.95fr

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