Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.66fr | 0.71fr |
5 - 9 | 0.63fr | 0.68fr |
10 - 24 | 0.61fr | 0.66fr |
25 - 49 | 0.60fr | 0.65fr |
50 - 99 | 0.58fr | 0.63fr |
100 - 249 | 0.56fr | 0.61fr |
250 - 2677 | 0.54fr | 0.58fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.66fr | 0.71fr |
5 - 9 | 0.63fr | 0.68fr |
10 - 24 | 0.61fr | 0.66fr |
25 - 49 | 0.60fr | 0.65fr |
50 - 99 | 0.58fr | 0.63fr |
100 - 249 | 0.56fr | 0.61fr |
250 - 2677 | 0.54fr | 0.58fr |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 55V, 44A - IRFR1205TRPBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 55V, 44A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FR1205. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 26A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.3 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 47 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 107W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 07/07/2025, 19:25.
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