Transistor canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V - IRFU024N

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.15fr	1.24fr
5 - 9	1.09fr	1.18fr
10 - 24	1.03fr	1.11fr
25 - 49	0.98fr	1.06fr
50 - 99	0.95fr	1.03fr
100 - 111	0.86fr	0.93fr

Quantité	U.P
1 - 4	1.15fr	1.24fr
5 - 9	1.09fr	1.18fr
10 - 24	1.03fr	1.11fr
25 - 49	0.98fr	1.06fr
50 - 99	0.95fr	1.03fr
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Transistor canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V - IRFU024N. Transistor canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 370pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 68A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 19 ns. Td(on): 4.7 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 05:25.

Documentation technique