Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.83fr | 1.98fr |
5 - 9 | 1.74fr | 1.88fr |
10 - 24 | 1.65fr | 1.78fr |
25 - 49 | 1.55fr | 1.68fr |
50 - 54 | 1.52fr | 1.64fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.83fr | 1.98fr |
5 - 9 | 1.74fr | 1.88fr |
10 - 24 | 1.65fr | 1.78fr |
25 - 49 | 1.55fr | 1.68fr |
50 - 54 | 1.52fr | 1.64fr |
Transistor canal N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v - IRL2203N. Transistor canal N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 116A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 3290pF. C (out): 1270pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 400A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 180W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 23 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 02:25.
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