Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.64fr | 2.85fr |
5 - 9 | 2.51fr | 2.71fr |
10 - 24 | 2.38fr | 2.57fr |
25 - 33 | 2.25fr | 2.43fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.64fr | 2.85fr |
5 - 9 | 2.51fr | 2.71fr |
10 - 24 | 2.38fr | 2.57fr |
25 - 33 | 2.25fr | 2.43fr |
Transistor canal N, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v - IRL3803S. Transistor canal N, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=100°C): 83A. Id (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.006 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5000pF. C (out): 1800pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 470A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 29 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 03:25.
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