Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.22fr | 1.32fr |
5 - 9 | 1.16fr | 1.25fr |
10 - 24 | 1.10fr | 1.19fr |
25 - 49 | 1.04fr | 1.12fr |
50 - 99 | 1.02fr | 1.10fr |
100 - 249 | 0.99fr | 1.07fr |
250 - 7683 | 0.94fr | 1.02fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.22fr | 1.32fr |
5 - 9 | 1.16fr | 1.25fr |
10 - 24 | 1.10fr | 1.19fr |
25 - 49 | 1.04fr | 1.12fr |
50 - 99 | 1.02fr | 1.10fr |
100 - 249 | 0.99fr | 1.07fr |
250 - 7683 | 0.94fr | 1.02fr |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 100V, 36A - IRL540NSTRLPBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 100V, 36A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L540NS. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 140W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 00:25.
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