Transistor canal N, 100A, 150A, 150uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v - IRLB8748PBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.04fr	1.12fr
5 - 9	0.98fr	1.06fr
10 - 24	0.93fr	1.01fr
25 - 49	0.88fr	0.95fr
50 - 99	0.86fr	0.93fr
100 - 249	0.48fr	0.52fr
250 - 1297	0.18fr	0.19fr

Quantité	U.P
1 - 4	1.04fr	1.12fr
5 - 9	0.98fr	1.06fr
10 - 24	0.93fr	1.01fr
25 - 49	0.88fr	0.95fr
50 - 99	0.86fr	0.93fr
100 - 249	0.48fr	0.52fr
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Transistor canal N, 100A, 150A, 150uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v - IRLB8748PBF. Transistor canal N, 100A, 150A, 150uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 100A. Id (T=25°C): 150A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 2.5M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5110pF. C (out): 960pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: UPS. Convertisseur DC/DC. Id(imp): 620A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 140W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) min.: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 23:25.

Documentation technique