Transistor canal N, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 1.7A, 0.20 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V - IRLD014

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.12fr	1.21fr
5 - 9	1.06fr	1.15fr
10 - 24	1.01fr	1.09fr
25 - 49	0.95fr	1.03fr
50 - 94	0.83fr	0.90fr

Quantité	U.P
1 - 4	1.12fr	1.21fr
5 - 9	1.06fr	1.15fr
10 - 24	1.01fr	1.09fr
25 - 49	0.95fr	1.03fr
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Transistor canal N, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 1.7A, 0.20 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V - IRLD014. Transistor canal N, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 1.7A, 0.20 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. Id (T=100°C): 1.2A. Id (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (maxi): 1.7A. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): HVMDIP ( DIP-4 ). Tension Vds(max): 60V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: FET. Fonction: td(on) 9.3ns, td(off) 17ns, Logic-Level Gate. Id(imp): 14A. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 23:25.

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