Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, DIP4, 60V, 2.5A - IRLD024PBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.38fr	1.49fr
5 - 9	1.31fr	1.42fr
10 - 24	1.24fr	1.34fr
25 - 49	1.18fr	1.28fr
50 - 99	1.15fr	1.24fr
100 - 249	1.12fr	1.21fr
250 - 270	1.07fr	1.16fr

Quantité	U.P
1 - 4	1.38fr	1.49fr
5 - 9	1.31fr	1.42fr
10 - 24	1.24fr	1.34fr
25 - 49	1.18fr	1.28fr
50 - 99	1.15fr	1.24fr
100 - 249	1.12fr	1.21fr
250 - 270	1.07fr	1.16fr

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Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, DIP4, 60V, 2.5A - IRLD024PBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, DIP4, 60V, 2.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP4. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: IRLD024PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 870pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 23:25.

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