Transistor - IRLR024NTRPBF
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.70fr | 0.76fr |
| 5 - 9 | 0.67fr | 0.72fr |
| 10 - 24 | 0.64fr | 0.69fr |
| 25 - 49 | 0.63fr | 0.68fr |
| 50 - 99 | 0.62fr | 0.67fr |
| 100 - 249 | 0.60fr | 0.65fr |
| 250+ | 0.57fr | 0.62fr |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.70fr | 0.76fr |
| 5 - 9 | 0.67fr | 0.72fr |
| 10 - 24 | 0.64fr | 0.69fr |
| 25 - 49 | 0.63fr | 0.68fr |
| 50 - 99 | 0.62fr | 0.67fr |
| 100 - 249 | 0.60fr | 0.65fr |
| 250+ | 0.57fr | 0.62fr |
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Transistor - IRLR024NTRPBF. ROHS: Oui. Boîtier: TO252AA, DPAK. Puissance: 38W. Montage/installation: SMD. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Polarité: unipolaire. Technologie: HEXFET®. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Tension drain - source: 55V. Courant de drain: 17A. Résistance dans l'état passant: 65m Ohms. Tension grille-source: 16V, ±16V. Résistance thermique du boîtier: 3.3K/W. Charge: 10nC. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 07/07/2025, 06:25.
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