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Transistor canal N, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRLR3705ZPBF

Transistor canal N, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRLR3705ZPBF
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Quantité HT TTC
1 - 4 1.59fr 1.72fr
5 - 9 1.51fr 1.63fr
10 - 24 1.43fr 1.55fr
25 - 49 1.35fr 1.46fr
50 - 99 1.32fr 1.43fr
100 - 134 1.49fr 1.61fr
Quantité U.P
1 - 4 1.59fr 1.72fr
5 - 9 1.51fr 1.63fr
10 - 24 1.43fr 1.55fr
25 - 49 1.35fr 1.46fr
50 - 99 1.32fr 1.43fr
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Transistor canal N, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRLR3705ZPBF. Transistor canal N, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Id (T=100°C): 63A. Id (T=25°C): 89A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 6.5m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 2900pF. C (out): 420pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 21ms. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 360A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 130W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 33 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 20:25.

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