Transistor canal N, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRLZ34N

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.99fr	1.07fr
5 - 9	0.94fr	1.02fr
10 - 24	0.89fr	0.96fr
25 - 49	0.84fr	0.91fr
50 - 99	0.82fr	0.89fr
100 - 249	0.74fr	0.80fr
250 - 977	0.70fr	0.76fr

Quantité	U.P
1 - 4	0.99fr	1.07fr
5 - 9	0.94fr	1.02fr
10 - 24	0.89fr	0.96fr
25 - 49	0.84fr	0.91fr
50 - 99	0.82fr	0.89fr
100 - 249	0.74fr	0.80fr
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Transistor canal N, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRLZ34N. Transistor canal N, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.035 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 880pF. C (out): 220pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 76 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 68W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 21 ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 19:25.

Documentation technique