Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.99fr | 1.07fr |
5 - 9 | 0.94fr | 1.02fr |
10 - 24 | 0.91fr | 0.98fr |
25 - 49 | 0.89fr | 0.96fr |
50 - 99 | 0.87fr | 0.94fr |
100 - 249 | 0.78fr | 0.84fr |
250 - 967 | 0.75fr | 0.81fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.99fr | 1.07fr |
5 - 9 | 0.94fr | 1.02fr |
10 - 24 | 0.91fr | 0.98fr |
25 - 49 | 0.89fr | 0.96fr |
50 - 99 | 0.87fr | 0.94fr |
100 - 249 | 0.78fr | 0.84fr |
250 - 967 | 0.75fr | 0.81fr |
Transistor canal N, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRLZ34N. Transistor canal N, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.035 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 880pF. C (out): 220pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 76 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Protection G-S: non. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 68W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 21 ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/07/2025, 00:25.
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