Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.51fr | 0.55fr |
10 - 24 | 0.49fr | 0.53fr |
25 - 49 | 0.47fr | 0.51fr |
50 - 99 | 0.46fr | 0.50fr |
100 - 249 | 0.27fr | 0.29fr |
250 - 499 | 0.26fr | 0.28fr |
500 - 2410 | 0.20fr | 0.22fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.51fr | 0.55fr |
10 - 24 | 0.49fr | 0.53fr |
25 - 49 | 0.47fr | 0.51fr |
50 - 99 | 0.46fr | 0.50fr |
100 - 249 | 0.27fr | 0.29fr |
250 - 499 | 0.26fr | 0.28fr |
500 - 2410 | 0.20fr | 0.22fr |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 30 v, 25mA - MMBF4392LT1G. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 30 v, 25mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: 25mA. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor JFET à canal N. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6K. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +15V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Onsemi. Quantité en stock actualisée le 06/07/2025, 18:25.
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