Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.55fr | 0.59fr |
10 - 24 | 0.52fr | 0.56fr |
25 - 49 | 0.50fr | 0.54fr |
50 - 99 | 0.49fr | 0.53fr |
100 - 249 | 0.34fr | 0.37fr |
250 - 499 | 0.33fr | 0.36fr |
500 - 4719 | 0.24fr | 0.26fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.55fr | 0.59fr |
10 - 24 | 0.52fr | 0.56fr |
25 - 49 | 0.50fr | 0.54fr |
50 - 99 | 0.49fr | 0.53fr |
100 - 249 | 0.34fr | 0.37fr |
250 - 499 | 0.33fr | 0.36fr |
500 - 4719 | 0.24fr | 0.26fr |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 25V, 60mA - MMBFJ310LT1G. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 25V, 60mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 25V. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: 60mA. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor JFET à canal N. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6T. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Onsemi. Quantité en stock actualisée le 06/07/2025, 18:25.
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