Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-264, 100V, 100A - MTY100N10E

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-264, 100V, 100A - MTY100N10E. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-264, 100V, 100A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-264. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MTY100N10E. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 50A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 96 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 372 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 10640pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Onsemi. Quantité en stock actualisée le 06/07/2025, 19:25.