Transistor canal N, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V - P2804BDG

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.72fr	1.86fr
5 - 9	1.63fr	1.76fr
10 - 24	1.55fr	1.68fr
25 - 49	1.46fr	1.58fr
50 - 99	1.43fr	1.55fr
100 - 249	1.39fr	1.50fr
250 - 779	1.32fr	1.43fr

Quantité	U.P
1 - 4	1.72fr	1.86fr
5 - 9	1.63fr	1.76fr
10 - 24	1.55fr	1.68fr
25 - 49	1.46fr	1.58fr
50 - 99	1.43fr	1.55fr
100 - 249	1.39fr	1.50fr
250 - 779	1.32fr	1.43fr

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Transistor canal N, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V - P2804BDG. Transistor canal N, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 10A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.03 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 790pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 15.5 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amélioration du niveau logique. Id(imp): 40A. Dissipation de puissance maxi: 32W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 11.8 ns. Td(on): 2.2 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 16:25.

Documentation technique