Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 60V, 11A - RFP3055LE

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 60V, 11A - RFP3055LE. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 60V, 11A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: RFP3055LE. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.107 Ohms @ 8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 22 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 38W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Produit d'origine constructeur Onsemi (fairchild). Quantité en stock actualisée le 06/07/2025, 09:25.