Transistor canal N, 30V, SOT23 - SI2306BDS-T1-E3

Transistor canal N, 30V, SOT23 - SI2306BDS-T1-E3. Transistor canal N, 30V, SOT23. Vdss (tension drain à source): 30V. Boîtier: SOT23. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Série: TrenchFET. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 4A. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: composant monté en surface (CMS). Vgs(th) (Max) @ Id: 3. Qg (charge totale de la porte, Max @ Vgs): L6. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Dissipation de puissance maxi: 1.25W. Température de fonctionnement: 0.057 Ohms @ 2.8A. Type de montage: SMD. Particularités: 25 ns. Information: 305pF. MSL: 0.8W. Produit d'origine constructeur Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 06/07/2025, 10:25.