Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.11fr | 1.20fr |
5 - 9 | 1.05fr | 1.14fr |
10 - 24 | 1.02fr | 1.10fr |
25 - 49 | 0.99fr | 1.07fr |
50 - 99 | 0.97fr | 1.05fr |
100 - 249 | 0.65fr | 0.70fr |
250 - 6229 | 0.63fr | 0.68fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.11fr | 1.20fr |
5 - 9 | 1.05fr | 1.14fr |
10 - 24 | 1.02fr | 1.10fr |
25 - 49 | 0.99fr | 1.07fr |
50 - 99 | 0.97fr | 1.05fr |
100 - 249 | 0.65fr | 0.70fr |
250 - 6229 | 0.63fr | 0.68fr |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 30 v, 3.5A - SI2306BDS-T1-E3. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 30 v, 3.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L6. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.057 Ohms @ 2.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 305pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Produit d'origine constructeur Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.
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