Transistor canal N, 4.8A, 6A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V - SI4480DY

Transistor canal N, 4.8A, 6A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V - SI4480DY. Transistor canal N, 4.8A, 6A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. Id (T=100°C): 4.8A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 20uA. Résistance passante Rds On: 0.026 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 80V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Power MOSFET. Id(imp): 40A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 52 ns. Td(on): 12.5 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 11:25.