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Transistor canal N, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V - SPD09N05

Transistor canal N, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V - SPD09N05
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Quantité HT TTC
1 - 4 1.07fr 1.16fr
5 - 9 1.01fr 1.09fr
10 - 24 0.98fr 1.06fr
25 - 49 0.96fr 1.04fr
50 - 99 0.94fr 1.02fr
100 - 249 0.91fr 0.98fr
250 - 455 0.87fr 0.94fr
Quantité U.P
1 - 4 1.07fr 1.16fr
5 - 9 1.01fr 1.09fr
10 - 24 0.98fr 1.06fr
25 - 49 0.96fr 1.04fr
50 - 99 0.94fr 1.02fr
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Lot de 1

Transistor canal N, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V - SPD09N05. Transistor canal N, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V. Id (T=100°C): 6.5A. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.093 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 215pF. C (out): 75pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration dv/dt. Id(imp): 37A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: SPD09N05. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 24W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 21:25.

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