Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.43fr | 2.63fr |
5 - 9 | 2.31fr | 2.50fr |
10 - 24 | 2.19fr | 2.37fr |
25 - 49 | 2.07fr | 2.24fr |
50 - 99 | 2.02fr | 2.18fr |
100 - 132 | 1.97fr | 2.13fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.43fr | 2.63fr |
5 - 9 | 2.31fr | 2.50fr |
10 - 24 | 2.19fr | 2.37fr |
25 - 49 | 2.07fr | 2.24fr |
50 - 99 | 2.02fr | 2.18fr |
100 - 132 | 1.97fr | 2.13fr |
Transistor canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V - SPP04N60C3XKSA1. Transistor canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.78 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-3-1. Tension Vds(max): 800V. C (in): 490pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 04N80C3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 10:25.
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