Transistor canal N, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V - STD10NF10

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.95fr	1.03fr
5 - 9	0.90fr	0.97fr
10 - 24	0.86fr	0.93fr
25 - 49	0.81fr	0.88fr
50 - 99	0.79fr	0.85fr
100 - 109	0.71fr	0.77fr

Quantité	U.P
1 - 4	0.95fr	1.03fr
5 - 9	0.90fr	0.97fr
10 - 24	0.86fr	0.93fr
25 - 49	0.81fr	0.88fr
50 - 99	0.79fr	0.85fr
100 - 109	0.71fr	0.77fr

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!

Quantité en stock : 109

Lot de 1

Transistor canal N, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V - STD10NF10. Transistor canal N, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. Id (T=100°C): 9A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.115 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 470pF. C (out): 70pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 52A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D10NF10. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 32 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MOSFET de puissance STRipFET™ II à faible charge de grille. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 09:25.

Documentation technique